《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》(上海,研究員 何律衡)訊,周二(28日)晚間,華潤(rùn)微發(fā)布2020年半年度報(bào)告,報(bào)告期內(nèi),公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入30.6億元,較上年同期增長(zhǎng)16.03%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)4億元,較上年同期增長(zhǎng)145.27%。公司在一季度實(shí)現(xiàn)凈利1.14億元,由此可得出其二季度實(shí)現(xiàn)凈利2.86億元,環(huán)比增速超過150%。
值得一提的是,公告顯示,報(bào)告期內(nèi),公司研發(fā)費(fèi)用22,706.5萬元,同比增加4.69%。公司新增境內(nèi)專利申請(qǐng)68項(xiàng),PCT國(guó)際專利申請(qǐng)11項(xiàng),境外專利申請(qǐng)20項(xiàng);公司新增獲得授權(quán)專利84項(xiàng)。
公開資料顯示,華潤(rùn)微為中國(guó)領(lǐng)先的擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營(yíng)能力的半導(dǎo)體企業(yè),產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器與智能控制領(lǐng)域。
公告稱,報(bào)告期內(nèi),國(guó)內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線于正式量產(chǎn);中低壓功率SGT MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破,器件性能達(dá)到對(duì)標(biāo)產(chǎn)品的國(guó)際先進(jìn)水平;自主研發(fā)的采用國(guó)產(chǎn)32位CPU IP的MCU產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)客戶導(dǎo)入;光電MEMS傳感器工藝平臺(tái)從6英寸升級(jí)到8英寸,實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
此外,公司目前在研項(xiàng)目共13項(xiàng),其中包括硅基氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)研發(fā)、SiC功率器件設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)研發(fā)、IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)研發(fā)、工業(yè)級(jí)200V大功率肖特基芯片及封裝技術(shù)研發(fā)、超高壓MOS晶圓及封裝技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)等。
上月發(fā)布的5月機(jī)構(gòu)調(diào)研記錄顯示,華潤(rùn)微共獲86家機(jī)構(gòu)調(diào)研,其中超過50家為外資機(jī)構(gòu),一躍成為科創(chuàng)板5月獲最多外資機(jī)構(gòu)調(diào)研的公司。同時(shí),該月共舉辦了5場(chǎng)分析師會(huì)議,其中只有5月20日?qǐng)龃瓮耆珵閲?guó)內(nèi)券商基金參加。
據(jù)光大證券分析師劉凱7月2日?qǐng)?bào)告統(tǒng)計(jì),當(dāng)前,華潤(rùn)微在無錫擁有1條8英寸和3條6英寸晶圓產(chǎn)線,年產(chǎn)能約320萬片,在重慶擁有1條8英寸晶圓產(chǎn)線(年產(chǎn)能約70萬片)和12英寸生產(chǎn)線。此外,公司持有重慶華潤(rùn)微53%股權(quán),重慶華潤(rùn)微2019年收入和凈利潤(rùn)約10.7億元和2.45億元,2019年年底凈資產(chǎn)約18億元。此外公司與重慶政府戰(zhàn)略合作建設(shè)12寸線。
劉凱在上述報(bào)告中指出,在巨大的中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中,多種器件國(guó)產(chǎn)化程度不足。BJT、功率IC、IGBT等器件國(guó)產(chǎn)化程度不足50%,MOSFET等其他功率器件國(guó)產(chǎn)化率不足40%,國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。
而華潤(rùn)微的產(chǎn)品線系列豐富、可提供MOSFET、IGBT、SBD和FRD 等產(chǎn)品,在MOSFET領(lǐng)域,公司可提供-100V-1500V全系列產(chǎn)品,是國(guó)內(nèi)綜合實(shí)力最強(qiáng)的功率器件廠商,有望充分受益國(guó)產(chǎn)替代。