應(yīng)用描述
現(xiàn)代信息社會(huì)數(shù)據(jù)耗量節(jié)節(jié)攀升，加之5G通信普及，通信電源等大功率電源領(lǐng)域正面臨著體積、重量、工作效率、抗干擾性能、電池兼容、待機(jī)能耗以及安全性等諸多方面的嚴(yán)苛要求考驗(yàn)。
高壓超結(jié)MOS 導(dǎo)通電阻的降低，有效提高了通信開(kāi)關(guān)電源性能。CRMICRO針對(duì)大功率電源等應(yīng)用自主研發(fā)了采用先進(jìn)多層外延和注入技術(shù)的高壓超結(jié)MOS，有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Rsp和FOM(QG *RDS(on）) CRMICRO推出的第四代、第五代SJ MOS優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)的同時(shí)也特別優(yōu)化過(guò)渡區(qū)和終端設(shè)計(jì)，因此具有電流密度高、短路能力強(qiáng)、開(kāi)關(guān)速度快、易用性好特點(diǎn)，可滿足客戶的高效率高可靠性需求。為達(dá)到大功率電源嚴(yán)苛的能效目標(biāo)，可采用CRM的同步整流中低壓SGT MOS。CRM的SGT MOS常用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等領(lǐng)域。選用CRM的SJ MOS配合SGT MOS，可實(shí)現(xiàn)較高的轉(zhuǎn)換效率，堅(jiān)固耐用，系統(tǒng)成本較低。
高壓超結(jié)MOS 導(dǎo)通電阻的降低，有效提高了通信開(kāi)關(guān)電源性能。CRMICRO針對(duì)大功率電源等應(yīng)用自主研發(fā)了采用先進(jìn)多層外延和注入技術(shù)的高壓超結(jié)MOS，有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Rsp和FOM(QG *RDS(on）) 另外，CRMICRO推出的新材料SiC二極管器件，具有導(dǎo)通損耗小，開(kāi)關(guān)損耗小，抗雷擊浪涌能力強(qiáng)特性，在應(yīng)用上更能滿足大功率電源的高能效標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)性能要求。
產(chǎn)品特色
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SJ MOS較低的FOM值，利于提升系統(tǒng)效率 | |
產(chǎn)品參數(shù)一致性好 | |
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SGT MOS較小的導(dǎo)通電阻，可滿足溫升、效率的要求 | |
高可靠性 |
應(yīng)用原理圖
典型應(yīng)用拓?fù)鋱D
應(yīng)用選型推薦
