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        PHASE SHIFT MASK（PSM掩模），通過(guò)MOSI層產(chǎn)生180°的相位差以降低光的衍射作用，從而提高掩模圖形分辨率

        相移掩模技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：減少臨近效應(yīng)，利用光的相干性，抵消部分衍射擴(kuò)展效應(yīng)，改變空間光強(qiáng)分布，使更多的能量從低頻分配到高頻上，彌補(bǔ)投影物鏡通低頻阻高頻的缺點(diǎn)，提高空間圖像的反差，改變像質(zhì)，使分辨率和焦深增大